| 金 研 研究部共同研究（重点研究） 多元研 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター第3回 窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用 |
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金属材料研究所の研究部共同研究の中で重点研究に採択されました課題「窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用」の第3回ミーティングを下記の通り開催いたします。
本研究では、結晶成長に起因する課題を克服し，III族窒化物の素子としての潜在的な可能性を顕在化させるため，窒化物半導体研究をリードする松岡隆志教授と次の窒化物研究を担う気鋭の研究者との間で研究者コミュニティーを形成し、窒化物半導体の結晶成長，物性評価及び素子利用の観点から多元的な研究を進めます。 皆様、是非ご参加下さい。 |
| 日時 | 2010年10月25日（月）～26日（火） | |
| 会場 | 東北大学金属材料研究所2号館1F講堂 |
プログラム(敬省略）
| 10月25日（月） | |||
| 13:30-13:45 | はじめに | 松岡隆志（東北大学 金研） | |
| 13:45-14:15 | PSD法による高品質窒化物成長の検討 | 藤岡 洋（東京大学） | |
| 14:15-14:45 | MOVPE法InN,GaN成長についての近況報告 | 杉田憲一（福井大学） | |
| 14:45-15:15 | DLTS装置の構築と欠陥評価 | 岡本 浩（弘前大学） | |
| 15:15-15:30 | 休憩 | ||
| 15:30-16:00 | 加圧MOVPE成長InNの相純度の成長温度依存性 | 木村健司（東北大学 金研） | |
| 16:00-16:30 | p型n型InNの非輻射電子・正孔再結合過程 | 石谷善博（千葉大学） | |
| 16:30-17:00 | フェムト秒電子ビームを用いた窒化物半導体の時間分解分光計測 | 秩父重英（東北大学 多元研） | |
| 10月26日（火） | |||
| 9:30-10:00 | 選択成長により形成されたボイドを利用した窒化物半導体膜の反り制御 | 三宅秀人（三重大学） | |
| 10:00-10:30 | 紫外LEDによるオゾンセンサー | 武内道一（立命館大学） | |
| 10:30-11：00 | Ga-Alフラックスを用いたAlNの液相成長 | 福山博之（東北大学 多元研） | |
| 11:00-11：15 | 終わりに | 松岡隆志（東北大学 金研） | |
参加方法
| 参加費は無料です。
事前登録制にはなっておりませんので、当日ご自由にお越しください。。 |
問合せ先
| 〒980-8577 仙台市青葉区片平2-1-1 東北大学 多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター 教授 福山博之（秘書：佐々木美和） 電話&FAX：022-217-5178 E-Mail : miwas(at)tagen.tohoku.ac.jp (at)を@にご変更願います。 |
