東北大学多元物質科学研究所第18回素材工学研究懇談会
資源変換・再生研究センター及び窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センターシンポジウム
ワイドギャップ半導体の結晶成長技術 - 高度環境・エネルギー社会に向けて –
| 会期 | 2009年11月18日（水）～19日（木） | |
| 会場 | 東北大学片平さくらホール（〒980-8577 仙台市青葉区片平2-1-1 東北大学片平キャンパス） | |
| 主催 | 東北大学多元物質科学研究所 | |
| 共催 | 東北大学／資源・素材学会東北支部／日本金属学会東北支部／日本鉄鋼協会東北支部 |
プログラム(敬省略）
| 11月18日（水） | |||
| 13:00-13:10 | 所長挨拶 | 齋藤文良（東北大学 多元研） | |
| 13:10-14:00 | パワーデバイス向けSiC単結晶基板の開発 | 星野泰三（新日本製鐵株式会社） | |
| 14:00-14:50 | SiCの基礎的性質と成長法 | 播磨 弘（京都工芸繊維大学 基盤科学部門） | |
| 14:50-15:40 | 熱力学解析による化合物半導体の気相成長 | 纐纈明伯（東京農工大学 工学府） | |
| 15:40-16:00 | 休憩 | ||
| 16:00-16:50 | 窒化物半導体の有機金属気相成長 | 松岡隆志（東北大学 金属材料研究所） | |
| 16:50-17:40 | 窒化アルミニム(AlN)単結晶の合成 | 福山博之（東北大学 多元研） | |
| 18:00- | 懇親会 | ||
| 11月19日（木） | |||
| 9:00-9:50 | 高品位ZnO単結晶のCVT成長 | 一色 実（東北大学 多元研） | |
| 9:50-10:40 | 極性制御ZnO薄膜の成長とその応用 | 八百隆文（東北大学 学際科学国際高等研究センター） | |
| 10:40-11:30 | シリサイド半導体を用いたSi薄膜結晶太陽電池を目指して | 末益 崇（筑波大学 物理工学系） | |
| 11:30-12:20 | チョクラルスキー法によるサファイア結晶成長 | 飯野貴幸（住友金属鉱山株式会社） | |
| 12:20-12:30 | 閉会の挨拶 | 一色 実（東北大学 多元研） | |
参加方法
| 参加費：一般2,000円 , 学生無料 懇親会費：一般3,000円 , 学生1,000円 申込締切日：11月10日（火） 参加希望の方は、参加申込書(Word or pdf)にご記入後、下記問い合わせ先に、メールまたはＦＡＸでお申込み下さい。 |
問合せ先
| 〒980-8577 仙台市青葉区片平2-1-1 東北大学 多元物質科学研究所 福山博之（秘書：佐々木美和） 電話&FAX：022-217-5178 E-Mail : miwas(at)tagen.tohoku.ac.jp (at)を@にご変更願います。 |
