| ミニワークショップ
第5回 窒化物半導体研究の最前線 |
| 日時 | 平成19年6月28日（木） ワークショップ13：00-17：00、 懇親会17：00-18：00 | |
| 会場 | 東北大学片平キャンパス 材料物性総合研究棟1号館 1Ｆ大会議室 | |
| 参加費 | 研究会無料 懇親会：一般1,000円/学生無料 |
プログラム(敬省略）
| 13:30-13:50 | シリコン基盤を用いた自立AlN結晶の作製（仮題） | 熊谷義直先生（東京農工大学 工学部） | |
| 14:00-14:50 | MOVPE法によるInN系半導体の成長と評価 | 山本暠勇先生（福井大学 大学院工学研究科） | |
| 15:00-15:50 | MBEによるAlN成長（仮題） | 秩父重英先生（東北大学 多元物質科学研究所） | |
| 16:00-17:00 | 話題提供 | ||
| 17:00-18:00 | 懇親会 |
講演概要
| 熊谷義直先生（東京農工大学工学部）は，HVPE（ハイドライド気相成長法）の第1人者であり，最近JJAPのエクスプレスレターに掲載されたばかりの「シリコン基板を用いた自立AlN結晶の作製（仮題）」についてご講演をしていただきます．
山本暠勇先生（福井大学工学部）は，ArFエキシマレーザーを利用して，成長の難しいInNおよびIn-rich InGaN, InAlNのMOVPE成長に関する最近の結果「MOVPE法によるInN系半導体の成長と評価」についてご講演をしていただきます 秩父重英先生（東北大学多元物質科学研究所）は，窒化物系半導体の評価や結晶成長に幅広くご活躍されている気鋭の研究者です．今回は「MBEによるAlN成長（仮題）」についてご講演いただけます． 講師の先生の後には，話題紹介のコーナーを設けております．短時間（10～20分程度）のプレゼンをしていただける方は，ぜひ，積極的にご参加ください．プレゼンをしていただける方は事前にご連絡ください．
今回は，講演会の後に簡単な懇親会を設けております．窒化物研究のスペシャリストとの刺激的なコミュニケーションの場です．学生のみなさんの参加もおおいに歓迎いたします
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問合せ先
| 〒980-8577 仙台市青葉区片平2-1-1 東北大学 多元物質科学研究所 福山博之（秘書：佐々木美和） 電話＆ＦＡＸ 022-217-5178 E-Mail miwas＠tagen.tohoku.ac.jp （＠を半角にして下さい） |
