ミニワークショップ 第2回 窒化物半導体研究の最前線 日時 平成17年11月15日（火） ワークショップ13：00-15：30 会場 東北大学片平キャンパス 材料物性総合研究棟1号館 1Ｆ大会議室 プログラム(敬省略） 13：00-13:50 窒化物半導体の開発経緯から現状の問題点 松岡隆志（東北大学 金属材料研究所） 14：00-14:50 III族窒化物/SiCヘテロエピタキシー～界面に着目した取り組みと応用～ 須田 淳（京都大学大学院 工学研究科） 15：00-15:30 窒化物の熱力学 福山博之（東北大学 多元物質科学研究所） 講演概要 福山（主催者）の開会の挨拶に続き、松岡隆志先生（本学金属材料研究所）からは、「窒化物半導体の開発経緯から現状の問題点」と題して、窒化物研究の最前線で活躍された経験に基づき、窒化物研究の包括的な内容と課題について、詳細かつ具体的な説明がなされた。講演後の質問も相次ぎ、時間を超過する盛況ぶりであった。 須田敦先生（京都大学大学院工学研究科）からは、「Ⅲ族窒化物／SiCヘテロエピタキシー～界面に着目した取り組みと応用～」と題する講演をして頂き、SiC基盤を用いたMBE法による窒化物結晶成長の最近の取り組みについて興味深い事例をご紹介頂いた。 最後に福山から「窒化物の熱力学」と題する話題提供があり、GaN及びAlNの熱力学性質を中心にサファイア窒化法による窒化アルミニウム薄膜の作製について紹介した。 多元研に加えて、金研、民間企業、大学知財部からも参加者があり、本ワークショップの注目度の高さが伺われた。前回を上回る30名超の参加者を得た。 講演は活発な質疑が行われ、盛況のうちに行うことができた。次回の講演を３月頃に行う予定である。 問合せ先 〒980-8577 仙台市青葉区片平2-1-1 東北大学 多元物質科学研究所 福山博之（秘書：佐々木美和） 電話＆ＦＡＸ 022-217-5178 E-Mail miwas＠tagen.tohoku.ac.jp （＠を半角にして下さい）
