おかげさまで、無事終了致しました。 金 研 研究部共同研究（重点研究） 多元研 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター第5回 窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用 金属材料研究所の研究部共同研究の中で重点研究に採択されました課題「窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用」の第5回ミーティングを下記の通り開催いたします。 本研究では、結晶成長に起因する課題を克服し，III族窒化物の素子としての潜在的な可能性を顕在化させるため，窒化物半導体研究を担う気鋭の研究者間の研究者コミュニティーを形成し、窒化物半導体の結晶成長，物性評価及び素子利用の観点から多元的な研究を進めます。 皆様、是非ご参加下さい。 日時 2011年8月8日（月）～9日（火） 会場 東北大学金属材料研究所2号館1Ｆ 講堂 プログラム(敬省略） 8月8日（月） 13:30-13:45 はじめに 松岡隆志（東北大学 金研） 13:45-14:15 窒化サファイア基板を用いたLEDの作製 藤岡 洋（東京大学） 14:15-14:45 InNのX線回折強度の温度因子の測定とバンドギャップ温度依存性に関する考察 花田 貴（東北大学 金研） 14:45-15:15 ＶＰＥ炉内１０００℃以上の高温域におけるサファイア表面の挙動 熊谷義直（東京農工大学） 15:15-15:30 休憩 15:30-16:00 InNの正孔散乱過程 石谷善博（千葉大学） 16:00-16:30 フェムト秒電子ビームを用いた窒化物半導体の時間分解分光計測(II) 秩父重英（東北大学 多元研） 16:30-17:00 GaN表面状態図から見た再構成, H吸着, Mg取り込み 伊藤智徳（三重大学） 8月9日（火） 9:30-10:00 窒化物半導体の触媒援用MOVPE成長 山本暠勇（福井大学） 10:00-10:30 日本のエレクトロニクス産業の歴史に学ぶ窒化物半導体開発の未来 天野 浩（名古屋大学） 10:30-11：00 HVPE法によるInN高速・厚膜成長の予備検討 富樫理恵（東京農工大学） 11:00-11：30 n型AlGaN混晶のプラズモン-LOフォノン結合モード観察とキャリア有効質量の決定 金 廷坤（京都工芸繊維大学） 11：30-12：00 Ga-Alフラックスを用いたAlNの液相成長とその結晶評価 安達正芳（東北大学 多元研） 12:00-12:15 終わりに 松岡隆志（東北大学 金研） 参加方法 参加費は無料です。 事前登録制にはなっておりませんので、当日ご自由にお越しください。。 問合せ先 〒980-8577 仙台市青葉区片平2-1-1 東北大学 多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター 教授 福山博之（秘書：佐々木美和） 電話&FAX：022-217-5178 E-Mail : miwas(at)tagen.tohoku.ac.jp (at)を@にご変更願います。
