| 金研 研究部共同研究（重点研究） 多元研 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター第２回 窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用 |
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全国共同利用研究所である金属材料研究所の研究部共同研究の中で重点研究に採択されました課題
「窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用」の第2回ミーティングを下記の通り開催いたします。 本研究では、結晶成長に起因する課題を克服し， III族窒化物の素子としての潜在的な可能性を顕在化させるため，窒化物半導体研究をリードする松岡隆志教授と次の窒化物研究を担う気鋭の研究者との間で研究者コミュニティーを形成し、窒化物半導体の結晶成長，物性評価及び素子利用の観点から多元的な研究を進めます。 皆様、是非ご参集下さい。 |
| 日時 | 2009年12月22日（火）～23日（水） | |
| 会場 | 東北大学金属材料研究所４号館 508/509号室 |
プログラム(敬省略）
| 12月22日（火） | |||
| 13:00-13:15 | はじめに | 松岡隆志（東北大学 金研） | |
| 13:15-13:45 | PSD法を用いた大面積窒化物素子作製の可能性 | 藤岡 洋（東京大学） | |
| 13:45-14:15 | FT-IRを用いたInNの光学特性 | 石谷善博（千葉大学） | |
| 14:15-14:45 | 窒化物半導体結晶成長への量子論的アプローチ | 伊藤智徳（三重大学） | |
| 14:45-15:00 | 休憩 | ||
| 15:00-15:30 | InNのラマン散乱分光 – 表層評価へ向けて | 播磨 弘（京都工芸繊維大学） | |
| 15:30-16:00 | InNのアンモニア分解触媒援用MOVPE成長 | 杉田憲一（福井大学） | |
| 16:00-16:30 | AlNの時間分解フォトルミネッセンス | 秩父重英（東北大学 多元研） | |
| 12月23日（水） | |||
| 9:00-9:20 | Phonon and electronic Raman spectra of InN-basics and application | 金廷坤（京都工芸繊維大学） | |
| 9:20-9:40 | HVPE法によるInN成長の成長温度,V/Ⅲ比依存性 | 熊谷義直（東京農工大学） | |
| 9:40-10:00 | MOVPE成長AlGaNを用いた250nm帯の光源開発 | 三宅秀人（三重大学） | |
| 10:00-10:20 | SiドープAlGaNの反りと結晶成長 | 武内道一（立命館大学） | |
| 10:20-10:30 | 休憩 | ||
| 10:30-10:50 | 窒化物半導体ヘテロ構造の電場変調分光（仮） | 片山竜二（東北大学 金研） | |
| 10:50-11:10 | InN成長（仮） | 平田雅貴（東北大学 金研） | |
| 11:10-11:30 | m面GaN基板上でのInGaN薄膜の歪緩和 | 花田 貴（東北大学 金研） | |
| 11:30-11:50 | AlN結晶成長（仮） | 福山博之（東北大学 多元研） | |
| 11:50-12:00 | 終わりに | 松岡隆志（東北大学 金研） | |
参加方法
| 参加費は無料です。
事前登録制にはなっておりませんので、当日ご自由にお越しください。 |
問合せ先
| 〒980-8577 仙台市青葉区片平2-1-1 東北大学 多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター 教授 福山博之（秘書：佐々木美和） 電話&FAX：022-217-5178 E-Mail : miwas(at)tagen.tohoku.ac.jp (at)を@にご変更願います。 |
