金 研 研究部共同研究（重点研究）
多元研 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター
窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用 キックオフミーティング
全国共同利用研究所である金属材料研究所の研究部共同研究の中で重点研究に採択されました課題「窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用」のキックオフミーティングを下記の通り開催いたします。
本研究では、結晶成長に起因する課題を克服し， III族窒化物の素子としての潜在的な可能性を顕在化させるため，窒化物半導体研究をリードする松岡隆志教授と次の窒化物研究を担う気鋭の若手研究分担者との間で共同研究体制を構築し，窒化物半導体の結晶成長，物性評価及び素子利用の観点から多元的な研究を進めます。
今回は、本共同研究のキックオフミーティングとなります。
皆様、是非、ご参集下さい。
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日時：平成21年7月31日（金）13：00-18：00
場所：東北大学金属材料研究所 ４号館５Ｆ５０８－５０９号室
プログラム
13:00-13:15 初めに 東北大学金研 / 松岡隆志教授
13:15-13:45 ハイドライド気相成長法によるInGaN厚膜結晶の成長と評価 東京農工大学 / 熊谷義直准教授
13:45-14:15 MOVPE法による窒化物半導体成長のその場観察 三重大学 三宅秀人准教授
14:15-14:45 AlN～AlGaN系窒化物半導体による大面積縦型発光素子のための結晶成長技術の確立 / 立命館大学 武内道一准教授
14:45-15:15 結晶の光学的・電気的手法による欠陥評価，光学定数評価 / 弘前大学 岡本浩教授
15:15-15:30 休憩
15:30-16:00 窒化物半導体ヘテロ構造の電場変調分光 / 東北大学金研 片山竜二准教授
16:00-16:30 MOVPE法によるInN結晶の成長と評価 / 東北大学金研 劉玉懐助教
16:30-17:00 InGaNの歪エネルギーと相分離 / 東北大学金研 花田貴助教
17:00-17:30 窒化アルミニウム結晶の作製 / 東北大学多元研 福山博之教授
17:30-17:45 総括 / 東北大学多元研 福山博之教授
17:45-18:00 終わりに / 東北大学多元研 山根久典教授
参加方法
参加費は無料です。事前登録制にはなっておりませんので、当日ご自由にお越しください。
問い合わせ先
東北大学多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニス材料研究センター
教授 福山博之（秘書：佐々木美和）
E-mail:miwas@tagen.tohoku.ac.jp
Phone&Fax:022-217-5178
