| 窒化物・酸化物半導体量子・ナノ構造 における光学遷移過程の解析 Study of optical transition processes in (Al, Ga, In)N and (Mg, Zn)O bulk, 3D-epilayers, and quantum nanostructures |
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★窒化物/酸化物ワイドギャップ半導体の優れた特徴を有効に引き出して素子性能に反映させるため、様々な測定法を用いて光学遷移過程を物理的見地から明らかにします。それぞれの測定結果から、光・電子素子構築のために必須である異種接合や量子井戸構造のバンド構造を調査する他、注入されたキャリアの振る舞いを明らかにします。
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