| Inを含む窒化物半導体混晶における 局在輻射再結合中心の効果と起源 Impacts and origin of localizing radiative centres in In-containing (Al,Ga,In)N alloys |
何故、Inを含む(Al,In,Ga)N材料系は貫通転位密度が高くてもよく光るのでしょうか？
研究内容は以下の記事にまとめられているのでご覧ください。 秩父研究室と科学技術振興機構中村不均一結晶プロジェクトの共同研究成果発表 Nature リサーチハイライト Nature Materials 5, 810 (2006). Nature Materials プレスリリース 丸文研究交流財団説明 |
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