窒化物・酸化物半導体量子・ナノ構造
における光学遷移過程の解析

Study of optical transition processes
in (Al, Ga, In)N and (Mg, Zn)O
bulk, 3D-epilayers, and quantum nanostructures



■はじめに

★窒化物/酸化物ワイドギャップ半導体の優れた特徴を有効に引き出して素子性能に反映させるため、様々な測定法を用いて光学遷移過程を物理的見地から明らかにします。それぞれの測定結果から、光・電子素子構築のために必須である異種接合や量子井戸構造のバンド構造を調査する他、注入されたキャリアの振る舞いを明らかにします。

■測定方法の紹介
静的分光・変調分光
時間分解フォトルミネッセンス
空間分解カソードルミネッセンス


■最近の研究成果
Inを含む窒化物半導体混晶における局在輻射再結合中心の効果と起源
非極性m面InGaN量子井戸LEDの光学的特性
AlN薄膜における紫外発光帯強度と欠陥密度の相関性
II-VI族酸化物半導体ZnOにおける励起子領域の光学スペクトル

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