ブックタイトルTAGEN FOREFRONT 05

概要

TAGEN FOREFRONT 05

FOREFRONT REVIEW01Ｉ族窒化物半導体、Ｉ族酸化物半導体のバンドギャップエネルギーと格子定数の関係。２０１４年ノーベル物理学賞受賞対象となった青色ＬＥＤの材料は、図中に青線の楕円で示す、青色に相当するバンドギャップエネルギーを持つＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ混晶である。図示した材料系が、深紫外線から赤外線まで広い応用の可能性をもつことがわかる。高輝度青色ＬＥＤの謎を解明「ＩｎＧａＮの研究成果」TERM INFORMATION量子サイズ効果人為的に形成した、物質のドブロイ波長以下（具体的には数ｎｍ以下など）の超薄膜や超微小体において、電子・正孔（の波動関数）が閉じ込められ、その動きが３次元的な平面波でなく、定在波となり固有のエネルギー値をとることである。メゾスコピック・ナノ構造十兆分の一秒だけ点灯するパルスレーザー光を用い窒素インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）混晶における励起子て、千億分の一秒程度の超短時間領域での発光計局在のモデル図。発光の源となる電子ー正孔対（励起量子サイズ効果がぎりぎり現れるか現れないか程ＬＥＤによって供給できる高効率白色ＬＥＤ測を行い、結晶中の少数キャリアや励起子の緩和過子）が、非発光性欠陥につかまるよりも速く「発光性の度まで小さくしたナノ構造体のこと。程を調べ、新しい物性出現の可能性を切り拓いてい局在状態」にとらえられ、高効率で発光するモデルを提照明により、夜を明るくすることができます。ます。案。Ｉｎ?Ｎ?Ｉｎ?チェイン構造が正孔局在の正体であるバンドギャップエネルギーザ励起照明等の高出力・高効率デバイ青色ＬＥＤで世界が変わる、といっても過と示しています。半導体において、電子がとりえないエネルギー状態の、エネルギー軸での幅のこと。言い換えると、結晶に青色発光ダイオード（ＬＥＤ）はスが私たちの生活に大きな変化をもたらし言ではありません」。将来は、車のヘッドまいます。ＧａＮでも１００万個を超えると光の局在発光モデルを用いてＩｎＧａＮの高おいて結合手を組んでいる電子１個を自由に動ける人類の灯りの歴史を変えたます。ライトを含む街中の照明が変わっていくとらなくなります。ところが、ＩｎＧａＮの場合効率発光を説明しました。ようにするのに必要なエネルギー。例えばＧａＮの室温におけるバンドギャップエネルギーは３．４４電子ボルト２０１４年、高効率白色ＬＥＤ照明の実中村教授と長年にわたり共同研究をし期待されています。は１平方センチメートルあたり１億～１０億このモデルを支持する実験として、半（波長に直すと約３６０ｎｍ）であり、それより短い波長現を導いた青色ＬＥＤを開発したとして、てきた秩父教授は、青色ＬＥＤ発明の意個あっても発光効率が大きくは低下しない導体に電子を注入してその可動距離をの光が入射されると電子ー正孔対が生成される。混晶（固溶体）Ａという固体結晶と、Ｂという固体結晶が、あるモル大学サンタバーバラ校教授がノーベル物射光を用います。蛍光灯は電気で水銀を秩父教授は、中村教授をプロジェクト秩父教授はこの問題に対して、十兆して行い、ＩｎＧａＮ混晶では、ＧａＮに比分率でほぼ均一に混った、ＡとＢの中間的な物性理学賞を受賞されました。この青色ＬＥＤ励起して紫外線を発生させ、その紫外線リーダーとして２００１年から５年間行われた分の一秒だけ点灯するパルスレーザー光べて励起子の移動できる距離が非常にを持つ結晶材料。たとえばＩｎＧａＮは、ＧａＮとＩｎＮの実用化により、ＬＥＤで光の三原色が揃で蛍光体を励起して光らせます。つまり「科学技術振興機構創造科学技術推進を用い、千億分の一秒程度の時間分解短いということを明らかにしました。これの疑似二元混晶である。（ＧａとＩｎとＮの混晶ではない。常に窒素が結晶の５０モル％を占める）。いました。また、黄色に光る蛍光体との両方とも間接的に発生させた光です。し事業（ＥＲＡＴＯ）中村不均一結晶プロジェ能で発光を計測できるシステムで励起子らの現象は、窒化アルミニウムインジウム組み合わせによる白色ＬＥＤ照明等の電かし、ＬＥＤは半導体そのものが発光するクト」の不均一結晶評価グループリーダー発光の寿命を計測し、電子の反物質で（ＡｌＩｎＮ）や窒化アルミニウムインジウムエピタキシー法器製品が市販化され、今後も半導体レーので、電力の使用効率がとても高いのでを務めました。そのプロジェクトにおいてある「陽電子」という粒子を使って調べたガリウム（ＡｌＩｎＧａＮ）等のＩｎを含む窒化物薄膜成長法の一種であり、単結晶基板の上に、その表面の幾何学的な特徴を引き継いで、極めて周す。世界にはいまだ発秩父教授は非常に重要な役割を果たしま結晶中の点欠陥密度との相関関係を見半導体にもあてはまるだけでなく、他の半期性の高い単結晶薄膜を成長させる方法。電所や送電線がなくてした。すなわち、結晶欠陥が多く、常識出しました。そして、「インジウム（Ｉｎ）を含導体材料でも同様に機能する組み合わ励起子電気が行き渡らない土的には光を発することが不可能な材料でむ窒化物半導体では、発光の源となる励せがあるのではないか？つまり、効果的に自由に動ける電子（自由電子）と、自由に動ける正地がありますが、太陽あるＩｎＧａＮを発光層に利用しているにも起子が、非発光性の欠陥に捉えられるよ局在状態を作ることによって、多少欠陥孔（自由正孔）は、おのおの負と正の電荷をもった粒子である。高純度な半導体中では、特に低温に光発電と蓄電池と青色関わらず、青色ＬＥＤは高輝度で発光すり先に、発光性の局在状態に捉えられるがあっても発光効率を飛躍的に向上させおいて電子と正孔がクーロン力で弱く束縛しあったる。この特異な発光メカニズムを解明し、ことで高効率で発光している」というモデることができるという可能性を示すもので、まま結晶中を自由に動き回れる量子となる。この「局在励起子」という新しい現象の理解ルを提案したのです。「原子サイズでの不均一結晶」を各種発電子ー正孔対のことを励起子と呼ぶ。励起子は、高純度結晶において低温でしか観測されないと信有機金属気相エピタキシャル成長に寄与しました。光デバイスへ積極的に応用展開することじられていたが、ＧａＮの場合は室温でも励起子発（ＭＯＶＰＥ）装置や、独自のヘリコ「従来からのＬＥＤ材料であるガリウム発光性の局在状態の解明光を呈することを、１９９６年に世界で初めて示した。ン波励起プラズマスパッタエピタが期待されています。ＩｎＧａＮ青色ＬＥＤでは、励起子が局在して光ってキシャル成長（ＨＷＰＳＥ）装置を用砒素（ＧａＡｓ）やガリウムリン（ＧａＰ）では、さらなる展開をいるので、局在励起子発光である。いて窒化物・酸化物半導体量子欠陥の量が１平方センチメートルあたりポイントとなったのは「発光性の局在状構造を形成します。ＩｎＧａＮ青色発パルスレーザー光光ダイオードは、ＭＯＶＰＥ装置でエ１万個を超えると殆ど光を出さなくなってし態」。秩父研究室では、この局在状態のピタキシャル形成します。時間的に連続して出射されているのではなく、ほん起源が何であるかを、先端評価技術のの短い時間だけ点灯するレーザー光のこと。発生組み合わせで解明しました。すなわち、「イ方法はいくつかあるが、秩父研究室で主に用いてMY FAVORITEいるのは、モードロックチタンサファイヤレーザーといンジウム原子が２個以上（数個程度）ａ軸機械との一体感を楽しめる、オートバイやオープンカーが好きですい、基本波は波長約７９０ｎｍ程度、パルス幅は８０オートバイが好きです。２５年以上も前に府中試験場で限定解除試験に合格した時の事は今でも方向に並ぶと、インジウム?窒素?インジウフェムト秒（１フェムト秒＝千兆分の一秒）である。ム?窒素（Ｉｎ－Ｎ－Ｉｎ－Ｎ）のジグザグチェ思い出せます。当時は試験場でしか大型自二免許を得られなかったので、みんな何回も受験しました。空間分解カソードルミネッセンスマッピング測定合格するとギャラリーから大拍手をもらい、控室に戻るまで何人もに、波状路の膝使いやクランクの腰インが形成されますが、そうするとその部半導体から発光を得る際、電流を注入して光らせの入れ方、短制動では規則以上に速度を上げてから止まることなどを話しながら歩くので、ちょっとした分のバンドギャップが周囲よりも低くなるだる場合をエレクトロルミネッセンス、バンドギャップヒーロー気分です。結婚して子どもができ「一人だけの身体じゃないんだから降りなさい」と言われてからけでなく、正孔が自発的に集まって、励以上の光子エネルギーを持つ光で励起する場合国内では乗っていませんが、内緒で海外で原付に乗ったりしています。オートバイの何が好きなのかよをフォトルミネッセンス、電子線で励起する場合を起子発光を起こしやすいのです。これがく聞かれますが、「雨が降ると一緒に濡れる」「転ぶと一緒に怪我をする」一体感だと思います。機械カソードルミネッセンス（陰極線ルミネッセンス）ととわかり合えるような気がして、今でも「頼んだぞ」「よくやった」と、実験装置に話かけることもあります。局在状態の正体です」。２０１４年のノー呼ぶ。電子線は、静電レンズによって集束できるたベルレクチャーにおいて中村教授は、こめ、微小径に集束して試料に打ち込めば、その微先駆的な計測技術を開発することによって、微細領域小領域の発光情報を得ることができる。全ての場における励起子の高時間分解能動的評価を行い、発所で発光スペクトルを測定し、空間依存性を明らか光メカニズムの解析等を行っています。にすることをマッピングと呼んでいる。7TAGEN FOREFRONTTAGEN FOREFRONT8バラデロ原付キューバ横断２０１４