| 講演内容 |
| １０月３０日（木） |
| 13:30 |
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開会の挨拶 |
| 13:35-14:10 |
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「アクティブアモノサーマル法によるGaN単結晶作製」 |
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鏡谷勇二（東北大多元研） |
| 14:10-14:45 |
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「高純度窒化ホウ素単結晶の高圧合成と希土類元素添加による発光特性発現」 |
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谷口 尚（物材研） |
| 14:45-15:20 |
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「III族窒化物中のドーパントの配位環境と電子状態」 |
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大場史康(京都大学) |
| 休憩 |
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| 15:35-16:10 |
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「非極性面窒化物半導体薄膜成長と問題点」 |
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秩父重英（東北大多元研） |
| 16:10-16:45 |
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「光電気化学反応による水素生成におけるGaN特性と構造化の影響」 |
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藤井克司（東北大学際センター） |
| 16:45-17:20 |
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「ソルボサーマル法による窒化物光触媒の合成」 |
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佐藤次雄（東北大多元研） |
| 17:40 |
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懇親会 |
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| １０月３１日（金） |
| 9:00- 9:35 |
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「サファイア窒化法によるAlN薄膜作製の熱力学的・速度論的考察」 |
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福山博之（東北大多元研） |
| 9:35-10:10 |
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「窒化アルミニウム系蛍光体の合成と結晶構造」 |
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武田隆史（物材研） |
| 10:10-10:45 |
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「還元窒化法による窒化物蛍光体の微粒子プロセス開発」 |
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末廣隆之（東北大多元研） |
| 休憩 |
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| 10:50-11:25 |
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「Eu2+付活Srサイアロン」 |
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福田由美（東芝） |
| 11:25-12:00 |
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「窒化物蛍光体の新規製造法と構造解析」 |
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渡邊 展（三菱化学） |
| 12:00-12:35 |
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「窒化物蛍光体の今後に期待すること」 |
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山元 明（東京工科大） |
tagen.tohoku.ac.jp