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【2012.1.12-13】窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会

主催: 東北大学 多元物質科学研究所
日時: 平成24年1月12日(木)~13日(金)
会場: 東北大学 片平さくらホール
講演内容
1月12日(木)
13:00
開会の挨拶
東北大学多元物質科学研究所 所長 河村純一
13:10- 14:00

InNおよびInGaN成長の最近の進展

― DERI法の結果が示唆すること―

名西やすし(立命館大学)
14:00- 14:35
GaN結晶基板の結晶成長技術
福田承生(東北大学)
14:35- 15:10

メカノケミカル法によるGaN前駆体の合成とそこから派生したITOの直接還元によるIn回収

加納純也、 張其武、齋藤文良(東北大学)
休憩
15:30- 16:05
材料開発技術がもたらすLED照明の高品質化
折戸文夫(三菱化学)
16:05- 16:40
アモノサーマル法におけるオートクレーブ内熱流体解析
増田善雄(産業技術総合研究所)

16:40-17:15

還元窒化法および簡易合成法による白色LED照明用窒化物系蛍光体の合成
末廣隆之(東北大学)
17:30
交流会
1月13日(金)
9:00
三菱化学の産学連携
池浦富久(三菱化学)
9:10- 9:35
窒化ガリウム基板の低コスト化、量産化への取組み
藤森俊成(三菱化学)
9:35-10:10
ナトリウムを利用した無機材料合成法の新展開
山根久典(東北大学)
10:10-10:45

サファイア窒化法の熱力学と窒化機構およびその展開

―高品質窒化アルミニウム膜の作製を目指して―

福山博之(東北大学)
休憩
11:00-11:35
アモノサーマル法における鉱化剤の役割
横山千昭(東北大学)
11:35-12:10
アモノサーマルGaN結晶育成技術と関与要因
石黒徹(東北大学)
12:10-12:45
ワイドバンドギャップ窒化物半導体の時間分解分光評価
秩父重英(東北大学)
12:45
閉会の挨拶
山根久典(東北大学)

 


参加ご希望の方は、事前に参加申し込みをお願い致します。

参加申込書をダウンロードしてご記入の上、問い合わせ先へメールまたはFAXにてご送付ください。

参加費:無料 (交流会費:2,000円) 交流会の申込締切:12月20日(火)1月6日(金)

問い合わせ先:
東北大学多元物質科学研究所 冨田大輔
〒980-8577 仙台市青葉区片平2-1-1
TEL&FAX: 022-217-5647
e-mail: tomidatagen.tohoku.ac.jp
を@に変更してお送り下さい

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