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【13. 11. 7開催】半導体に関する日露合同セミナー

TU-SBRAS-FEBRAS-ISTC Seminar

Semiconductor: - Problems of preparation and characterization of functional materials

半導体に関する日露合同セミナー
(東北大学,ロシア科学アカデミー〔極東・シベリア支部〕,国際科学技術センター共催)
場所:東北大学 電気通信研究所1号館N棟講堂(N408)
日時:2013年11月7日(木)13:30~18:15

プログラム:

13:30-13:35 開会挨拶: 工藤純一教授(東北大学ロシア交流推進室副室長)
13:35-13:40 共催挨拶:荒川敦史(文部科学省科学技術・学術制作局国際戦略室企画官)
13:40-13:45 共催挨拶:岡本拓也(国際科学技術センター(ISTC)事務局次長)

13:45~16:00 セッション1: Silicon and Related Materials
13:45-14:15 須藤彰三(東北大学大学院理学研究科物理学専攻 教授) “Physics of Hydrogen-terminated Silicon Surfaces: One Dimensional Phonons and Nano-crystal Growth”
14:15-14:45 Dimitry GRUZNEV(Doctor of Science, Institute of Automation and Control Processes, Far-Eastern Branch of the Russian Academy of Sciences: FEBRAS) “Formation and Electronic Structure of Au/Si(111) Surface with Spin-split Surface States”
(14:45~15:00 コーヒーブレイク)
15:00-15:30 虻川匡司(東北大学多元物質科学研究所 准教授) “Gold Arrangement of Si(111)5×2-Au Surface”
15:30-16:00 Evgeniya ERMAKOVA(Researcher, Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences: SBRAS) “Organosilicon Precursors in CVD Production of Functional Materials for Electronic Devices”
(16:00~16:15 コーヒーブレイク)

16:15~18:15 セッション2: Functional Materials
16:15-16:45 橋本克之(東北大学大学院理学研究科物理学専攻 助教)“Scanning Tunneling Spectroscopy on a III-V Semiconductor: Properties of Surface Two Dimensional Electron System”
16:45-17:15 Andrey MATETSKIY(Researcher, Institute of Automation and Control Processes, FEBRAS) “Self-assembly of Fullerenes C60 into Surface Magic Clusters”
17:15-17:45 末光眞希(東北大学電気通信研究所 教授) “Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si and Formation of Epitaxial Graphene”
17:45-18:15 Yan VASILIEV(Leading Researcher, Crystal Growth Laboratory, Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry, SBRAS) “The Low Thermal Gradient Cz Thechnique: an Effective Way of Growing Nearly Perfect Large-size Oxide Crystals”

セミナーに関するお問い合わせ
東北大学多元研 虻川匡司
abukawa@tagen.tohoku.ac.jp
TEL 022-217-5364
FAX 022-217-5405

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