2007年12月22日 組頭広志先生来室
東京大学大学院工学系研究科・組頭広志准教授が学生の皆さんと一緒に、リアルタイム表面観察装置の見学とSi酸化についての研究打ち合わせのために来室されました。
左から高桑先生、組頭先生、豊田智史さん（学振PD）、小川君、安原隆太郎さん（M1）
2007年12月12日 多元研発表会で発表
第7回東北大学多元物質科学研究所研究発表会にて、2件のポスター発表を行いました。
P030 / ポスター
『SiO2/Si(001)界面歪みのリアルタイムXPS観察：表面酸化様式依存』
小川修一、吉越章隆、石塚眞治、寺岡有殿、高桑雄二
P031 / ポスター
『分子を観て廻す』
高見知秀
2007年12月6日 東北大技術室先端研修にて講演
高見さんが東北大学多元物質科学研究所技術室先端研修にて講師を務めます。
『ベンチャーとは？そして世界の技術室は？』
高見知秀
2007年11月22日 CRESTグループミーティングを開催
東京において、カーボンCVD装置開発の研究打ち合わせが行われました。
左より富士通二瓶さん、高桑先生、高見さん、JASRI池永さん。
2007年11月20日 アルファテクノ社を訪問
高桑先生がアルファテクノ社/ムサシノエンジニアリング社分析センター（長野県安曇野市穂高）を訪問し、次世代常温接合装置開発の打ち合わせを行いました。
常温接合装置試作機の前にて。右よりムサシノエンジニアリング社長宮本氏、アルファテクノ平林氏、高桑先生。
穂高駅前にて。アルファテクノ社は穂高駅から徒歩5分。
2007年11月14日〜16日 真空進歩賞を受賞
小川修一君の「リアルタイム光電子分光観察を用いた表面研究」の業績に対して、日本真空協会から第16回真空進歩賞が授与されました。
第48回真空に関する連合講演会（学習院大学・東京）において、授賞式と受賞記念講演が行われました。
講演内容：
受賞記念講演（真空進歩賞）
『リアルタイム光電子分光観察を用いた表面研究』
小川修一
真空協会会長岡野達雄先生から賞状を頂く
真空進歩賞の賞状と副賞
2007年11月11日〜15日 ACSIN-9に参加
9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces
and Nanostructures（東京大学・東京）に参加し、1件の講演を行いました。
講演内容：
PS2-66 / Poster
『Temperature Dependence of the Oxidation-Induced Strain at SiO2/Si(001) Interface Studied by XPS Using Synchrotron Radiation』
S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, Y. Teraoka and Y. Takakuwa
ポスター前の小川修一君
バンケットでのバンド生演奏。
2007年11月10日 研究懇談会にて発表
『原子分子レベルでの界面構造・反応制御・物質創製』研究懇談会（東北大-WPI研究懇談会・国際高等融合研共催）にて、高桑先生が依頼講演を行いました。
依頼講演
『表面・界面反応機構の理解に基づいた機能性材料創製と表面ナノプロセス開発』
高桑雄二
2007年10月29日〜11月2日 ALC'07に参加
6th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials
and Devices '07（金沢アートホール・金沢市）に参加し、2件の講演を行いました。
講演内容：
TuP-107 / Poster
『Influence of Rapid O2 Pressure Increase on the Oxide Growth Kinetics at SiO2/Si(001) Interface Studied by Real-Time X-ray Photoelectron Spectroscopy』
S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, Y. Teraoka and Y. Takakuwa
TuP-108 / Poster
『Real-Time Observation of the Oxidation Reaction Kinetics of a Si1-xCx Alloy Layer Grown on Si(001) with C2H4 by UPS and RHEED Combined with AES』
Y. Takakuwa, S. Ogawa, T. Kawamura
ポスター前の小川修一君
金沢駅前のポルテ金沢（このビルの6階にある金沢アートホールで会議が開催されました。）
2007年10月25日 三木一司先生が来室
三木一司先生（物質・材料研究機構）が研究室を訪問されました。
ナノテクノロジーの最前線のお話を伺うとともに、趣味のスキーについて話がつきませんでした。
2007年10月25日 八木貴之君が来室
本研究室OBの八木貴之君が研究室を訪問され、近況についてお伺いました。
また、最近の研究室の様子を紹介しました。
2007年10月1日 CREST研究員として、高見さんが着任
引越しで多忙を極める高見さん。
2007年10月1日 JST CREST開始
科学技術振興機構／戦略的創造研究推進事業（JST
CREST）2007年10月より
領域「次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究」
研究課題：次世代LSI用3次元カーボン・アクティブ配線
研究代表：富士通株式会社・二瓶瑞久
上記課題の共同研究者として参加しています。
2007年9月29日 池田先生来室
Si表面酸化過程の研究打ち合わせのために、池田正則先生（日本大学工学部）と修士1年の渡邉君が一緒に来室されました。
2007年9月20日 Surf. Sci.誌に論文掲載
室温Si(001)表面における酸素吸着過程をUPSで調べた論文がSurface Science誌に掲載されました。
題目：Simultaneous observation of oxygen uptake curves and electronic states
during room-temperature oxidation on Si(001) surfaces by real-time ultraviolet
photoelectron spectroscopy
著者：S. Ogawa and Y. Takakuwa
雑誌：Surface Science 601 (2007), pp. 3838-3842.
2007年9月19日 高見知秀先生来訪
高見知秀先生（大阪大学産業科学研究所）が研究室訪問されました。
日本の科学技術の未来について、熱い議論が交わされました。
写真左より、笠井先生、高見先生、小川君、千葉さん、高桑先生。
2007年9月16日 大野真也先生来訪
大野真也先生（横浜国立大学大学院工学研究院）が研究室訪問されました。
2007年9月11日 朴先生来日
朴鐘允先生（韓国・成均館大学理学部長）来室。東北大学理学部と成均館大学理学部の交流協定調印式の帰途に研究室訪問。
2007年9月7日 機械知能・航空研修II 発表会
穂積英彬君が機械知能・航空研修IIにて、下記論文を紹介しました。
題目：Quality of SiO2 and of SiGe formed by oxidation of Si/Si0.7Ge0.3 heterostructure using atomic oxygen at 400℃
著者：H. Nohira, T. Kuroiwa, M. Nakamura, Y. Hirose, J. Mitsui, W. Sakai, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura, K. Sawano, K. Nakagawa,Y. Shiraki, T. Hattori
雑誌名：Applied Surface Science 237 (2004) 134-137.
機械知能・航空研修IIとは？
外国語（主に英語）文献の精読と調査、整理を行い、内容をまとめて講演発表を行うことで、文献調査の方法、最新の技術動向や研究内容を学ぶとともに、論文要旨（講演概要集）の作成、講演発表・質疑応答の方法を修得するための研修で、3年生の必修科目です。
2007年9月4日〜7日 応用物理学会参加
2007年秋季 第68回応用物理学会学術講演会（北海道工業大学・札幌市）に参加。
2件の一般講演及び1件の招待講演を行いました。
講演内容：
6a-ZF-7 / 口頭発表
『統合Si酸化反応モデルの実験的検証(2)：界面酸化のO2圧力依存』
小川修一、吉越章隆、石塚眞治、寺岡有殿、高桑雄二
5a-ZC-3 / 口頭発表
『Si1-xCx合金層/p-Si(001)表面の酸化過程：室温での吸着酸素の挙動』
高桑雄二、小川修一
6p-ZF-1 / 受賞記念講演
『Rate-Limiting Reactions of the Growth and Decomposition Kinetics of Very Thin Oxide on Si(001) Surfaces Studied by Reflection High Energy Electron Diffraction Combined with Auger Electron Spectroscopy』
小川修一
小川修一君が第29回応用物理学会論文賞（JJAP論文奨励賞）を受賞しました。
応用物理学会会長 尾浦憲治郎先生との記念撮影。
2007年8月20日〜25日 SPring-8オフライン実験
SPring-8のBL23SUの表面反応解析装置（SUREAC2000）を用いて、XPS実験を行いました。
シリコン酸化反応実験において、酸素圧力を制御中の穂積英彬君。
学部3年生の穂積英彬君も参加し、主にXPSによる酸化膜厚評価を行うだけでなく、表面反応解析装置の補修作業も手伝い、真空機器の実務について理解を深めました。
2007年7月27日〜8月3日 VUV15参加
The 15th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Physics（ベルリン・ドイツ）に参加しました。1件のポスター発表を行いました。
講演内容：
Poster
"Real-time monitoring of stained Si atoms at SiO2/Si(001) interface during layer-by-layer oxide growth by Si 2p photoelectron
spectroscopy using synchrotron radiation"
Y. Takakuwa, S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, Y. Teraoka
会議場のKonzerthaus at Gendarmenmarkt
夕食に食べたアイスバイン。
バンケットにてFadley先生、宮原先生、手塚先生と一緒に。
2007年7月2日〜6日 IVC-17参加
17th International Vacuum Congress（ストックホルム・スウェーデン）に参加しました。
2件の口頭発表を行いました。
講演内容：
SS06-Or3 / Oral
『Real-time photoelectron spectroscopy study on the oxidation-induced strained Si atom at SiO2/Si(001) interface: dependence on oxidation temperature』
S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, Y. Teraoka and Y. Takakuwa
SS06-Or4 / Oral
『Real-time ultraviolet photoelectron spectroscopy study on the oxidation reaction kinetics of an Si1-xCx ally layer (x 〜0.1) grown on p-type Si(001) surface with ethylene』
Y. Takakuwa and S. Ogawa
休憩時間中に発表のデモンストレーションを行う小川修一君。
IVC-17会場前にて、横浜国立大学の大野真也先生との記念撮影。
スカンセン野外博物館からストックホルムの町並みを望む。
2007年6月23日 神戸大学田川研訪問
SPring-8実験の帰りに神戸大学大学院工学研究科機械工学専攻の田川研究室を訪問し、レーザーデトネーション法を用いた原子状酸素発生装置（下記写真の中央）の見学をさせていただきました。
神戸大学から望む神戸の町並み。絶景です。
2007年6月19日〜23日 SPring-8ビームタイム
SPring-8のBL23SUの表面反応解析装置（SUREAC2000）を用いて、XPS実験を行いました。今回は2007Aナノテク支援課題の「次世代ULSI用極薄シリコン酸化膜形成における欠陥発生過程の解明」に関する実験を行いました。
試料準備のため、防塵着を着てクリーンルームに入る小川修一君。
SUREAC2000の調整風景。
高桑先生と共同研究者の皆様。
2007年5月17日 Jpn. J. Appl. Phys.誌に論文掲載
Si(001)表面酸化過程を放射光を用いたリアルタイムXPSで観察した論文がJapanese Journal of Applied Physics誌に掲載されました。
題目：Si(001) Surface Layer-by-Layer Oxidation Studied by Real-Time Photoelectron Spectroscopy using Synchrotron Radiation
著者：S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, Y. Teraoka and Y. Takakuwa
雑誌：Japanese Journal of Applied Physics 46 (2007), pp.3244-3254.
2007年5月10日 酸化反応討論会で講演
The 3rd International Workshop on Oxidation Reactions（大阪大学・吹田市）にて、高桑先生が1件の講演を行いました。
講演内容：
Oral Presentation
『Oxidation Reaction Kinetics on Ti(0001) Surface Studied by Real-time Monitoring Methods of XPS, UPS, and RHEED Combined with AES』
Y. Takakuwa, S. Ogawa, M. Ohira, S. Ishidzuka, A. Yoshigoe, Y. Teraoka,
Y. Mizuno,T. Yamauchi, T. Homma
2007年4月30日 岡野研究室訪問
国際基督教大学理学部物理学科の岡野研究室を訪問しました。ダイヤモンド成長装置や物性測定装置などを見学させて頂きました。
2007年4月1日〜5日 SPring-8ビームタイム
SPring-8のBL23SUの表面反応解析装置（SUREAC2000）を用いて、XPS実験を行いました。今回は2007A原研施設共用課題の「Si熱酸化プロセスにおけるナノスケールSiO2/Si界面歪みとその役割の解明」について実験を行いました。
BL23のSUREAC2000を操作する小川君。
SPring-8の外は桜が5分咲きでした。
2007年3月31日 矢島君の結婚お祝い会
矢島君の結婚お祝い会を東京で開催しました。多くのOBに集まっていただき、大変盛大な会となりました。
参加者全員での記念撮影。
2007年3月27日〜30日 応用物理学会参加
2007年春季第55回応用物理学関係連合講演会（青山学院大学・相模原市）に参加し、2件の一般講演及び1件の招待講演を行いました。
講演内容：
29a-ZH-1／口頭発表
『Si(001)表面酸化におけるSi原子放出過程(X)：歪みSi層と第2層酸化速度の相関』
小川修一、吉越章隆、石塚眞治、寺岡有殿、高桑雄二
27a-P1-8／ポスター発表
『Si(001)表面酸化におけるSi原子放出過程(XI)：p及びn型伝導度への依存』
小川修一、高桑雄二
29a-ZH-2／受賞記念講演
『リアルタイム表面計測を用いた統合Si酸化反応モデルの実験的検証』
小川修一、高桑雄二
小川修一君が第21回（2006年秋季）応用物理学会講演奨励賞を受賞し、本学会で表彰されました。
会長の尾浦憲治郎先生との記念撮影。
2007年3月13日〜14日 表面科学会東北大会参加
平成18年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会（岩手大学・盛岡市）に参加し、1件の一般講演を行いました。
講演内容：
P-01／ポスター発表
『Si(001)表面酸化過程の高輝度放射光を用いた光電子分光観察』
小川修一、吉越章隆、石塚眞治、寺岡有殿、高桑雄二
2007年1月12日〜14日 放射光学会参加
第20回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム（広島国際会議場・広島市）に参加し、1件の一般発表を行いました。
講演内容：
ポスター発表
『Si酸化表面における欠陥発生過程のリアルタイム光電子分光観察』
小川修一、吉越章隆、石塚眞治、寺岡有殿、高桑雄二
2007年1月11日 北大触媒研シンポジウムで講演
第17回北海道大学触媒科学研究センター研究討論会（北海道大学・札幌市）にて高桑准教授が招待講演を行いました。
講演内容：
招待講演
『点欠陥発生（放出Si原子＋空孔）を介したSi酸化反応モデル』
高桑雄二
（クリックするとPDFファイルをダウンロードできます。）
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