SiC結晶が溶融合金に溶解する際に、結晶中の転位を起点とする溶解ピットの形成を伴うことを、高温その場観察法により明らかにしました。このような溶解は、SiCの溶液成長時に種結晶のクリーニングのために実施されるため、その際のプロセス制御の重要性を示しました。
Sakiko Kawanishi, Hiroyuki Shibata, and Takeshi Yoshikawa: “Contribution of Dislocations in SiC Seed Crystals on the Melt-Back Process in SiC Solution Growth”, Materials, 15(5) (2022), 1796 (8 pages).
DOI: 10.3390/ma15051796
