SiCの溶液成長における課題である“成長中の溶液組成の変動”を抑制するため、一般的な黒鉛坩堝に代わってＳｉＣ/Cの傾斜構造をもつ坩堝を利用するプロセスを提案しました。二段階の熱処理によるＳｉＣ/C坩堝の作製法を開発するとともに、この坩堝を用いたSiCの溶液成長実験により溶液の組成変動の抑制効果を実証しました。
Sakiko Kawanishi, Hironori Daikoku, Hiroyuki Shibata, and Takeshi Yoshikawa: “Suppressing solvent compositional change during solution growth of SiC using SiC/C gradient crucible”, Journal of Crystal Growth, 576 (2021), 126382 (8 pages).
