省エネパワー半導体の基盤材料として注目を集めているシリコンカーバイドの高品質結晶育成への最先端の取組みについて、
国内外の講師より話題を提供していただきます。多くの皆様のご参加をお待ちしております。
日時：2017年6月19日(月) 15:15～16:45
場所：多元物質科学研究所 科学計測研究棟Ｎ棟 3階セミナー室
主催：多元物質科学研究所 ベースメタル研究ステーション
協賛：人・環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミック・アライアンス、物質・デバイス領域共同研究拠点
プログラム
Frontier of high temperature crystal growth
高温結晶成長のフロンティア
15:15-16:15 Invited talk “Progress on PVT and solution growths of SiC”
Prof. Didier Chaussende, CNRS, France
16:15-16:45 “In-situ observation of solution growth of SiC”
Prof. Takeshi Yoshikawa, IIS, The University of Tokyo
問合先：東北大学 多元物質科学研究所 川西咲子
TEL: 022-217-5155, E-mail: s-kawa@tagen.tohoku.ac.jp
