■研究の概要■

殺菌による水の浄化やウイルス不活化を実現する深紫外線発光デバイス、脱CO2パワースイッチングデバイス、さらには光と電子系の機能を融合するポラリトンレーザ等の新奇ナノ・量子構造発光デバイスの実現を目指しています。これらを実現できる可能性がある材料が、(B,Al,Ga,In)Nや(Mg,Zn)O, NiOなどのワイドギャップ化合物半導体です。半導体の光学的・電気的特性を最大限に引き出すためには、成長させた結晶中の不純物および欠陥を減らすことが不可欠です。それらを達成するために、独自の気相薄膜成長法の開発や光学的手法による結晶品質評価を行っています。

　2024年01月：陰極線励起による単層六方晶窒化ホウ素（Monolayer BN; mBN）のバンド端発光の観測
　2023年05月：275 nm帯AlGaN系深紫外発光ダイオードの劣化メカニズムの解明
　2022年06月：炭素フリー原料を用いて化学気相成長させた六方晶窒化ホウ素薄膜における間接遷移励起子の発光ダイナミクス
　2022年05月：低圧酸性アモノサーマル(LPAAT)法による2インチ径c面バルクGaN単結晶の作製
　2021年11月：空孔ガイドMg再分配法によるp型イオン注入GaNの少数キャリア寿命の向上
　2021年08月：c面GaN基板上に有機金属気相エピタキシャル成長させた格子整合Al_0.83In_0.17N薄膜における非輻射再結合レートの低減
　2020年10月：m面AlInN/GaNヘテロ界面におけるカチオン秩序配列と自己形成組成変調超格子
　2020年08月：室温で共振器ポラリトンを呈するチップサイズ酸化亜鉛微小共振器の実現
　2020年04月：低圧酸性アモノサーマル(LPAAT)法による2インチ低反りGaN単結晶の育成
　2018年11月：Mg+水素イオン注入(000-1)面p型GaNの室温におけるバンド端発光寿命
　2018年05月：エピタキシャル成長Mg添加GaNの主要な非輻射再結合中心が有する巨大な電子捕獲断面積

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