教授 秩父重英
学歴・職歴
| 慶應義塾大学大学院理工学研究科電気工学専攻 修士課程 修了 | |
| （株）東芝 総合研究所 電子部品研究所 光半導体デバイス担当 | |
| 慶應義塾大学大学院理工学研究科電気工学専攻 博士課程 復学 | |
| 平成6年3月 | 博士（工学） 学位取得・後期博士課程修了 |
| 平成6年4月 | 東京理科大学理工学部電気工学科 嘱託助手 |
| 平成9年9月 | University of California Santa Barbara, Materials Department Term-limiting Assistant Research Professor |
| 平成10年9月 | 東京理科大学理工学部電気工学科 嘱託助手 |
| 平成11年4月 | 筑波大学 助教授 物質工学系 |
| 平成11年5月 | 筑波大学 助教授 物理工学系 (配置換) |
| 平成16年4月 | 筑波大学大学院 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻 (改組) |
| 平成19年2月 | 東北大学 教授 多元物質科学研究所 多元設計研究部門 物理機能設計研究分野 |
| 平成20年4月 | 東北大学 教授 多元物質科学研究所 附属窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター 量子構造形成／基板・デバイス評価研究部 (配置換) |
| 平成24年4月 | 東北大学 教授 多元物質科学研究所 計測研究部門 量子光エレクトロニクス研究分野 (配置換) |
兼務等
| 平成3年4月～平成5年3月 | 日本学術振興会 特別研究員 |
| 平成5年4月～平成6年3月 | （株）ベンテック 技術顧問 |
| 平成7年10月～平成13年4月 | 通産省工業技術院電子技術総合研究所 材料科学部 非常勤研究員 |
| 平成9年2月～平成9年3月 | ドイツ国立ハーンマイトナー研究所 訪問研究員 (Festkorperphysik) |
| 平成11年4月～平成12年3月 | 東京理科大学理工学部 非常勤講師 |
| 平成11年12月～平成17年9月 | 理化学研究所フォトダイナミクス研究セ ンター 光物性研究チーム非常勤研究員 |
| 平成13年7月～平成15年3月 | 独立行政法人 物質・材料研究機構 物質研究所 客員研究員 |
| 平成13年10月～平成19年3月 | 学技術振興機構 創造科学推進事業 中村不均一結晶プロジェクト 不均一結晶評価グループリーダー |
| 平成19年2月～平成19年3月 | 筑波大学大学院数理物質科学研究科客員教授 |
| 平成19年度2、3学期 | 筑波大学大学院数理物質科学研究科非常勤講師 |
研究略歴
昭60年4月～昭63年3月
慶應義塾大学理工学部:液体封止引き上げ法による半絶縁性GaAs単結晶中の電気的補償機構に関わる固有欠陥EL2濃度と炭素濃度の関係、電界効果トランジスタ(MESFET)チャネル形成時のSiイオン注入後のAs圧制御熱アニールの効果について調査。
光技術共同研究所との共同研究にてGaAs熱処理における最適As圧のデータを提示した。
昭63年4月～平2年3月
(株)東芝総合研究所(現研究開発センター) : 光通信用長波長1.55μm帯InGaAsP/InP系高速半導体レーザの研究、有機金属化学気相エピタキシャル(MOVPE)法によるGaInAsP/InP系材料の成長、高効率不純物添加法の研究に従事。
動作帯域17GHzの自己整合型法による電流狭窄メサ構造分布帰還形レーザの特性解析、MOVPE法によるInPへの高濃度Zn添加技術を提案。
平2年4月～平6年3月
(慶應義塾大学理工学部):危険性の低い有機V族原料を用いたMOVPE法によるGaAs,AlGaAs系材料、量子井戸構造の形成と光学的評価を行う。
ターシャリブチルアルシン(TBAs)を用いるとSiのドーピング効率が10倍以上高くなることを減圧MOVPE法にて初めて報告。
また、TBAsを用いたMOVPE成長Si添加GaAsにおける空孔欠陥密度が、分子線エピタキシー(MBE)法成長Si添加GaAsのそれよりも低く抑えられることを陽電子消滅法を用いて報告した。
新機能性カルコパイライト形化合物半導体Cu(Al,Ga)(S,Se)2の気相バルク、エピタキシャル成長と結晶の電子構造の研究に従事。
愛媛大学白方祥助教授、(株)ベンテックと共同にて、成長困難なCuAlSe2半導体において初めての励起子発光を報告し、不純物による発光センター、ヘテロエピタキシャル歪みの効果について検討を行った。
慶應義塾大学故佐々木敬介教授主査、東京農工大学佐藤勝昭教授他副査の下、博士(工学)学位取得。
平6年4月～平11年3月
東京理科大学理工学部 嘱託助手 (中西研究室):高効率薄膜太陽電池用CuInSe2を含む、Cu(Al,Ga,In)(S,Se)2カルコパイライト化合物の研究。
室温における自由 励起子の関与する発光をCuAlS2、CuGaS2、GaN等のワイドギャップ化合物において示した。
また、早稲田大学理工学部、宗田孝之教授と共に日亜化学、富士通研究所、東芝等と共同でGaNの電子構造において歪がバンドギャップ等に及ぼす影響を調査。
その後、InGaN単一および多重量子井戸発光ダイオードの室温での自然放出発光機構に局在励起子が関与している可能性を初めて示した。
また、その局在準位の起因として、量子ディスク程度のサイズを持つInN過剰領域が存在することを確認し、InGaNレーザ活性層のゲイン発生メカニズムについて検討を行った。
平7年10月～平13年3月
通産省工業技術院 電子技術総合研究所 材料科学部 量子材料研究室 招聘研究員:六方晶および立方晶GaN,AlGaNの窒素プラズマガスソースMBE成長とその光学評価を担当。
六方晶と立方晶GaNのバンドギャップエネルギー差を定量化した。
また立方晶GaN/InGaN薄膜・量子井戸の光学評価を行う。
平9年2月～3月
ドイツ国立ハーンマイトナー研究所(HMI) 訪問研究員:カルコパイライト化合物CuGaSe2の有機金属化学気相エピタキシャル成長を現地にて指導。
歪み緩和層の提案を行い、該当機関では初めてのエピ成長を成功させる。
平成9年3月
第1回応用物理学会講演奨励賞受賞(平成8年度秋季講演会における発表: InGaNの光学的特性)。
平9年9月～平10年9月
カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料科学部、有任期研究助教授:InGaN/GaN量子構造の光学評価と短波長半導体レーザの評価。
また横方向成長低転位密度GaN基板およびその上のInGaN量子井戸の光学的評価を担当。
圧電分極による量子閉じ込めシュタルク効果と局在効果の双方につき検討し、発光機構を説明した。
平11年4月～筑波大学 物質工学系、平11年5月～
物理工学系に配置換(現在に至る)助教授:ワイドバンドギャップ半導体GaN系およびZnO系材料・量子ナノ構造の形成と光量子物性評価。
それまでの研究に引き続き、室温局在系量子井戸における光学遷移過程の解析と構造形成を行う。
InGaNにおける巨大なバンドギャップボーイング現象に着目し、局在の原因を追求。
また、MOVPE法による立方晶GaN系材料の成長、NH3ソースMBE法による六方晶GaN系材料・量子構造の形成と量子光物性の研究を行う。
また、新しいエピタキシャル成長法である「ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(HWPSE)法」を提案し、ZnO系酸化物半導体薄膜の形成を行 う。
量子構造デバイス、材料(青色半導体発光ダイオード、半導体レーザ材料)の研究室担当。
平成13年10月～
科学技術振興事業団(JST) 創造科学推進事業 (ERATO) 中村不均一結晶プロジェクトに不均一結晶評価グループリーダーとして参画。
主に窒化物半導体の研究を行う。
平成14年10月～
21世紀COEプログラム拠点「未来型機能を創出する学際物質科学の推進」(筑波大学 数理物質科学研究科)融合電子物性コア担当。
平成19年2月～
東北大学教授 多元物質科学研究所 多元設計研究部門 物理機能設計研究分野 平成20年4月より附属窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター 量子構造形成/基板・デバイス評価研究部 平成24年4月より計測研究部門 量子光エレクトロニクス研究分野に各々配置換。
アース・ヒューマンコンシャスなⅢ族窒化物半導体およびⅡ族酸化物半導体の結晶成長/電気・光学評価/デバイス研究に従事。
現在に至る