I-III-VI2族化合物であるCu(Al,Ga,In) 　(S,Se)2カルコパイライト型化合物半導体は、III,VI族の混晶化によって直接遷移型バンドギャップを1.0- 3.5eVで制御できるため、赤外−可視光全域−紫外域の発光・受光素子材料として用いることが可能です。 　結晶構造は右図に示すように、2元アナログであるZnSeなどII-VI族の閃亜鉛鉱構造のII族原子を I族とIII族で置換した構造です。その特徴から、太陽電池の光吸収層としてだけでなく、非線形光学デバイスや、発光素子としての応用が期待されていま す。

CuInGaSe2（CIGS)薄膜は、現在の太陽電池材料として主流な Siに比べて光吸収係数が高く、Mo/ガラス上の2um程度の多結晶薄膜でも理論変換効率２４％のセルが作製できると期待されます。また、Si系太陽電池 で問題となっている光劣化が起きません。 　本研究室では、右図に示す各機能層の製膜と太陽電池の作製を目指し、東京理科大学・工学部 安藤研究室、理工学部　中西研究室との共同研究を行っています。

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