2018/11/11-11/16 IWN2018@Kanazawa

IWN2018@Kanazawaに参加しました。

秩父教授と小島准教授は、出版委員会委員長および委員としてIWN2018に大きく貢献しました。特に、第41回(平成21年)市村学術賞(功績賞)の受賞に関連した学会開催支援プログラムにより、JJAP Special Issueの出版がサポートされました。
関係各位に深く感謝申し上げます。また、秩父研及び共同研究機関からは計8件の発表を行いました。

講演番号 発表者 タイトル
No.OD14-2 長澤
(創光科学)
Microscopic structure of boosting IQE for AlGaN-based UV-B (285 nm) LED grown on macrosteps
No.J6-3 秩父 Luminescence dynamics of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by BCl3-NH3 chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate
No.GR10-5 江原
(静大)
Kinetics analysis of desorption process in BGaN MOVPE
No.GR10-4 丸山
(静大)
Fabrication and evaluation of thick BGaN neutron detection diodes
No.OD7-3 小島 Multi-gigabit-class deep ultraviolet wireless communication at 280 nm based on an AlGaN light emitting diode
No.CR6-6 秩父 Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN on GaN structures
No.MoP-OD-4 小島 Current localization structure observed in AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN templates with macrosteps
No.GR4-1
(Invited-oral)
斉藤 Recent progress of large size bulk GaN crystal growth by acidic ammonothermal method

学会会場にて

関係者の皆様お疲れ様でした。
今後ともよろしくお願いします。