2018/3/17-3/20 応用物理学会春季学術講演会＠早稲田大学
早稲田大学にて開催された応用物理学会春季学術講演会に参加しました。
秩父研及び共同研究機関からは計17件の発表を行いました。
| 講演番号 | 発表者 | タイトル |
|---|---|---|
| 17p-C102-1 (シンポジウム依頼講演) |
原 (静大) |
六方晶BNの薄膜成長とその深紫外発光評価 |
| 17p-E202-1 | 秩父 | MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(1) |
| 17p-E202-2 | 稲富 (九大) |
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(2) |
| 17p-E202-17 | 秩父 | サファイア基板に気相成長させた六方晶BN薄膜の発光スペクトル |
| 18p-E202-6 | 斉藤 | 酸性アモノサーマル法による大型GaN結晶成長の検討 |
| 18p-E201-6 | 粕谷 | 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による誘電体分布ブラッグ反射鏡の形成(1) |
| 18p-E201-7 | 嶋 | 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による誘電体分布ブラッグ反射鏡の形成(2) |
| 18p-E201-9 | 小島 | ZnO単結晶の絶対輻射量子効率測定(2) |
| 19a-C302-6 | 嶋 | Mgイオン注入N極性面GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価 |
| 19a-C302-12 | 小島 | 有機金属気相成長法にて自立GaN基板上に成長させたGaNホモエピタキシャル層の光物性評価 |
| 19p-C302-2 | 高島 (富士電機) |
Mgイオン注入GaN MOSFETのチャネル特性向上 |
| 19p-G204-7 | 大石 (徳大) |
赤色蛍光体(CaAlSiN3:Eu)の高温劣化機構の評価 |
| 19p-P7-78 | 丸山 (静大) |
厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価 |
| 20a-E202-1 | 浅井 (産総研) |
GaN単結晶における光励起キャリアの空間的不均一と内部量子効率との関係（1） |
| 20a-E202-2 | 小島 | GaN単結晶における光励起キャリアの空間的不均一と内部量子効率との関係（2） |
| 20a-E202-3 | 谷川 (東北大) |
GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響 |
| 20p-P6-9 | 江原 (静大) |
MOVPE法を用いて作製したBGaN結晶相の評価 |
会場にて記念写真
西早稲田キャンパスの桜
