2016/3/19-3/22 応用物理学会春季学術講演会@東京工業大学

東京工業大学にて開催された応用物理学会春季学術講演会に参加しました。

秩父研及び共同研究機関からは計9件の発表を行いました。

講演番号 発表者 タイトル
19p-S011-8 秩父 時間空間分解カソードルミネッセンスによるⅢ族窒化物半導体の評価
20a-H121-1 小島 高キャリア濃度n型m面GaN単結晶におけるホットキャリアの輻射再結合ダイナミクス
20a-H121-2 小島 高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定
20a-H121-3 秩父 自立GaN基板上m面Al1-xInxNエピタキシャル薄膜の発光特性(Ⅳ)
20p-P7-15 板原
(豊田中研)
Si系剥片状ナノ材料の光物性・光触媒特性
20p-S222-10 秩父 低貫通転位密度Zn極性ZnOホモエピタキシャル薄膜への3d遷移金属添加によるキャリア寿命制御
21p-H121-5 小島 90%を超える電子・正孔波動関数の重なり積分を達成可能なAlGaN量子井戸の設計指針
21p-H121-8
(金沢工大)
組成揺らぎを考慮したAlGaNおよびInGaN量子井戸における光学利得の理論的比較
22a-P6-6 中村
(静大)
MOVPE法を用いたBGaN成長における成長雰囲気の検討

関係者の皆様お疲れ様でした。
今後ともよろしくお願いします。