2012/03/15-18 春季応用物理学会@早稲田大学

秩父研及び共同研究機関からは10件の発表を行いました。

講演番号 発表者 タイトル
15p-F11-10 秩父 フェムト秒パルス電子線発生とワイドギャップ半導体の評価
16p-E4-2 羽豆 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー
16p-F12-10 秩父 高AlNモル分率AlGaN混晶薄膜の時間分解PL/CL評価
16p-F12-11 羽豆 Si添加Al0.6Ga0.4N混晶薄膜の時間分解フォトルミネッセンス評価
16p-F12-12 石川 六方晶BN微結晶の時間分解ルミネッセンス評価
17a-E4-10 羽豆 ルチルおよびアナターゼTiO2/GaNヘテロ界面のX線光電子分光法による価電子帯オフセット評価
17p-F12-11 秩父 高純度低転位密度GaN基板の評価(1) - HVPE成長GaNの陽電子消滅と時間分解フォトルミネッセンス評価 -
17p-F12-12 秩父 高純度低転位密度GaN基板の評価(2) - HVPE成長GaN上AlGaN/GaN構造の時間分解PL評価 -
17p-F12-13 石川 時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるIII族窒化物半導体の評価(2) - HVPE成長GaN基板 -
18a-F12-1 冨田
(東北大多元研)
酸性アモノサーマル法によるGaN結晶の高速成長

大隈重信像前で

大隈講堂も入れて

関係者の皆様お疲れ様でした。
今後ともよろしくお願いします。