2008/7/6-9 Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
窒化物半導体の結晶成長に関連した国際会議です。2006年にスウェーデンのLinkopingにて第一回目が開催され、今回は第２回目として静岡県、伊豆市にて開催されました。
| 講演番号 | 発表者 | タイトル |
|---|---|---|
| Tu-9 | 秩父 (Oral+poster) | Optical properties of nearly stacking-fault-free m-plane (In,Ga)N films grown by metalorganic vapor phase epitaxy on low defect density free-standing substrates |
| Tu-55 | 秩父 (Oral+poster) | Effects of dislocation bending and impurity incorporation on the local cathodoluminescence spectra of GaN prepared by seeded ammonothermal growth |
ポスター発表の様子
実行委員長の東京農工大学の纐纈先生
第一回目実行委員長のMonemar先生
バンケットにて
今後ともよろしくお願いします。