2008/4/27-5/2 International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices 2008 (ISSLED2008)

会場は、アリゾナ州フェニックスでした。
秩父研および共同研究機関からは、招待講演3件の発表がありました。

講演番号 発表者 タイトル
G1 秩父 (Invited-oral) Built-in and external bias-induced quantum-confined Stark effects in a nonpolar m-plane In0.15Ga0.85N/GaN multiple quantum well light-emitting diode
L1 尾沼 (Invited-oral) Exciton fine structures in AlN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
M1 高水(ローム・東北大)(Invited-oral) Direct correlation between the internal quantum efficiency and photoluminescence lifetime in undoped ZnO epilayers grown on Zn-polar ZnO substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy